HUF75631S3S − NチャネルUltraFET パワーMOSFET 100V、33A、40mΩ


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Product Status/Pricing/Packaging

Product Product & Eco Status *Pricing Packaging & Packing Info **Package Marking Convention Qualification Support Compliance Certificates
0 HUF75631S3ST 量産中
ROHS Compliant
$0.758  Details
4.445 x 10.16 x 15.24mm

Line 1:$Y (Fairchild logo)
&Z (Plant Code)
&3 (3-Digit Date Code)
Line 2:75631S
FIT :  0.6  
RƟJA :  62  °C/W
RƟJC :  1.25  °C/W
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  • 超低オン抵抗
  • rDS(ON) = 0.040Ω、VGS = 10V
  • シミュレーションモデル
  • 温度補償PSPICE® およびSABER電気モデル
  • SpiceおよびSABERの熱インピーダンスモデル
  • ピーク電流対パルス幅カーブ
  • UIS定格曲線


  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • ワークステーション
  • サーバー&メインフレーム

Application Notes

Application Note Description
AN-9005 (1,956 K) 26-11-2014
AN-9034 Power MOSFET Avalanche Guideline(381 K) 05-3-2011
AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 28-6-2014
AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 05-3-2011
AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation(1,532 K) 23-10-2014
AN-9010 MOSFET Basics(990 K) 09-9-2013
AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 05-3-2011
AN-9065 FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 28-6-2014
AN-7515 A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System(556 K) 03-3-2011


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Package Condition Temperature Range Vcc Range Software Version Revision Date
TO-263 2L (D2PAK) Thermal;Electrical -55°C to 175°C N/A Saber 5.1 2 28, 2012

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