ウィリアム・ショックレーがショックレー・セミコンダクターを設立

1955

トランジスターの共同発明者の1人であるウィリアム・ショックレーは、この7年前にサンタ・クララ・バレーにショックレー半導体研究所を設立しました。 12人の若い研究者を採用し、トランジスターにゲルマニウムとシリコンを使用する研究にあたらせました。彼の言うところの「博士の生産ライン(Ph.D. production line)」です。 ショックレーは1956年にノーベル物理学賞を受賞しましたが、その経営スタイルと基礎研究への関心の薄れが原因で、8人の若い研究者が研究所を去りました。

「8人の反逆者」がシリコントランジスターの量産方法を開発

1957

ゴードン・E. ムーア・C. シェルドン・ロバーツ、ユージーン・クライナー、ロバート・N. ノイス、ヴィクター・H. グリニッチ、ジュリアス・ブランク、ジーン・A. ホーニ、ジェイ・T. ラストという、ショックレー半導体研究所出身の「8人の反逆者」は、自己資金3500ドルを投じて、二重拡散法と化学エッチングシステムによるシリコントランジスターの量産方法を開発しました。 このシリコン/ゲルマニウムのメサにより、メーカーはシングルウェハ上に複数のトランジスターを形成できるようになりました。 (それまでトランジスターは一度に1個しか作製できませんでした)。 この新しい「メサプロセス」は膨大な可能性をはらんでいましたが、彼ら発明者には財政的支援が必要でした。

フェアチャイルド・カメラ・アンド・インスツルメンツが8年以内の企業買収選択権の見返りとして、150万ドルを出資しました。 こうして1957年10月1日、フェアチャイルドセミコンダクターが誕生したのです。 その事業目標は、 拡散シリコントランジスターを始めとする半導体デバイスの開発と製造です。 新会社が6か月で採算が取れるようになったのは、 IBM™から単価150ドルのトランジスター100個の注文があったおかげです。 この出荷品は、ジェイ・ラストがスチールたわしで有名なBrillo ® の箱に詰めて地方のスーパーから発送しました。

ロバート・ノイス、モノリシック集積回路を開発—爪先サイズのシリコンウェハ上に微小な電子回路を搭載

1958

ノイスの同僚であるジーン・ホーニは、このアイデアをもう一歩進めて、コレクター、ベース、エミッターを同一平面に配置しました。 プレーナトランジスター、すなわち新たな産業の誕生です。 ほぼ50年を経た今日、プレーナプロセスはトランジスター製造方法の主流になっています。

モノリシック集積回路の特許取得

1961

1959年7月30日、フェアチャイルドセミコンダクターの共同創業者の1人であり本部長であるロバート・ノイスは、モノリシック集積回路の特許を申請しました。

1961年4月25日、特許が付与され、集積回路の時代の幕開けが告げられました。 Resistor Transistor Logic (RTL)製品(セット/リセットフリップ/フロップ)は、モノリシックチップとして実現した業界初の集積回路です。

歴史に残る日、1961年4月25日、ノイスは「集積回路」の特許を取得

1961

米国特許庁はロバート・ノイスに対して集積回路の特許証を発行し、特許権を保有していたジャック・キルビーとの長い闘争が始まります。 ノイスが、後に主流となるシリコン集積回路を開発する間に、キルビーはゲルマニウムを用いた集積回路をすでに発明していました。 トランジスターの代わりに集積回路がコンピューターに用いられるようになると、マシンの著しい小型化が可能になりました。

ジャック・キルビーとロバート・ノイスによる集積回路

1962

発明にはよくあることですが、複数の人々がほぼ時を同じくして集積回路のアイデアを思いつきました。 1950年代に多くの発明家が気づいていたように、トランジスターはラジオから電話機、コンピューターに至るまでさまざまな製品において実用化されており、真空管より小型であったにもかかわらず、最新の電子機器に適用するにはサイズが大きすぎました。

フェアチャイルドが工場をオープン

1962

1962年、フェアチャイルドは、メイン州サウスポートランドに、ラジオ、オシロスコープ、その他計装類に用いるトランジスターの製造、テスト、組立のための設備をオープンしました。

デュアルゲートデバイス

1963

デュアルゲートデバイスは、埋め込み層絶縁技術を初めて採用した次世代RTL製品です。

NPNプレーナパワートランジスター

1964

業界で初めて薄膜エミッター抵抗プロセスを導入しました。

初のオペアンプ

1965

フェアチャイルドは、業界で広く使われているオペアンプを最初に開発し、リニア集積回路分野における大きな節目をもたらしました。

初の標準TTL製品

1966

フェアチャイルドは、初の標準TTL製品である4回路入り2入力NANDゲートを発表しました。 今なお業界の主力であるTTLロジックは、従来タイプの回路に勝るスピードとパワーの強みを発揮します。

32ゲート カスタムDTLロジックアレイ

1967

業界初の2層メタルプロセス、32ゲート カスタムDTLロジックアレイが製品化されました。

フェアチャイルドが新しいオペアンプを発表

1968

フェアチャイルドは、温度補正とMOSコンデンサーを採り入れた、初期のリニア集積回路の1つであるオペアンプを発表しました。

フェアチャイルド、エミッター/ベース間接合、ベース/コレクター間接合の誘電体分離による業界初の機能デバイスを発表

1973

アイソプレーナII内蔵により、集積回路トランジスターのサイズがフェアチャイルドの従来のアイソプレーナ技術比で70%削減されました。 アイソプレーナIIデバイスは、従来のプロセスで作製された同等のデバイスに比べ、性能が2倍向上しています。

FAST(Fairchild Advanced Schottky TTL)ロジック発表

1978

標準ショットキー(74S)に比べて、性能20~30%増、消費電力75~80%減を実現した、FAST(Fairchild Advanced Schottky TTL)ロジックが発売されました。

フェアチャイルド・カメラ・アンド・インスツルメンツ、シュルンベルジェの傘下に

1979

フェアチャイルドセミコンダクターの親会社であるフェアチャイルド・カメラ・アンド・インスツルメンツは、世界的な油田事業および電子機器関連の企業である、シュルンベルジェの子会社となりました。

CMOSの低電力消費を維持しつつ、スピードを達成するFACT™ロジック

1985

1985年、FACT™(Fairchild Advanced CMOS Technology)ロジックは、CMOSの低電力消費を維持しつつ、速いスピードを達成しました。 このロジックは、システム設計者に、優れたライン駆動特性、卓越したESDおよびラッチアップ耐性を提供しています。 FACT ACおよびACTシリーズは、CMOS互換入力、TTLおよびMOS互換出力対応の標準ロジック機能を提供します。 FACTは、初めて発売された高性能CMOSロジックファミリーであり、熾烈な市場競争を勝ち抜く唯一無二の製品群です。

初のCMOS不揮発性電気的消去可能メモリーを発表

1986

小さい実装面積と高い信頼性が求められる用途向けに、高耐久性と低エネルギー消費を実現するフェアチャイルドのフローティングゲートCMOSプロセスを採用した、初のCMOS不揮発性電気的消去可能メモリーが発表されました。

フェアチャイルドセミコンダクターは、ナショナル・セミコンダクターに買収されます。

1987

FACT Quiet Series

1989

FACT Quiet Series(FACT QS™)は、独自のQuiet Seriesテクノロジーを駆使して、出力のオーバーシュート、アンダーシュート、およびEMIを制御し、FACTをしのぐスピードと、CMOSプロセスの低ノイズ特性を提供します。 FACT Quiet Series ACQ製品は、CMOS互換入力およびMOS互換出力に対応しています。 CMOS回路が発生するノイズを制御するための回路を組み込んだ、初のCMOSファミリーです。

AMG™アーキテクチャ上に構築されたEPROM

1990

1990年に、AMG™(Alternate Metal Ground)アーキテクチャ上に構築されたEPROMが発表されました。 従来のTセルが2列ごとに1コンタクトだったのに対し、このアーキテクチャは64列ごとに1コンタクトしか必要としません。 そのため、業界最小のダイサイズが実現します。

最も使いやすいECLロジックファミリー、300シリーズECLを発表

1991

300シリーズは、その速いゲートスピード、フル電圧、温度補正、低インピーダンス伝送線路を駆動する能力により、ECLベースシステムのほか、ECLをTTL/CMOSと組み合わせたシステムにも最適です。 このシリーズは、温度/電圧ECL回路に温度および電圧補正を組み込んだ初のファミリーを構成しています。

HCに代わる、初の低ノイズ、高速CMOSロジックデバイス

1993

CROSSVOLT™ LCX低電圧ロジックシリーズは、3.3 V最適化ロジックにおける中心的存在です。

1994

過電圧耐性を組み込んだ初の製品として、業界における3.3V動作への変換を促しました。

プラグ & プレイコントローラー

1994

ISAバスアダプターカードにプラグ・アンド・プレイ機能を実装する、完全なシングルチップソリューションを提供します。

TinyLogic ®

1996

TinyLogic™は、一部の最小パッケージにおけるシングルゲート機能を提供します。 この小型の高速シリーズは、HC/VHCと同等の性能を発揮し、CMOS(HS)およびTTL(HST)互換入力の双方に対応しています。

独立系企業として生まれ変わるフェアチャイルドセミコンダクター

1997

フェアチャイルドセミコンダクターは独立系企業として生まれ変わりました。変革の歴史を内に宿し、21世紀のテクノロジーの革新を実現する設計資質と生産能力を備えた企業の再来を告げるものです。

  • GTLPバックプレーントランシーバーは、 中~高性能のバックプレーン用途専用に設計されています。 オープンドレイン出力構造とエッジレート制御により、バックプレーン設計者は、入射波スイッチングを利用してバックプレーンのデータスループットを最大化しつつ、独自のバックプレーン特性に適合するように設計を最適化できます。
  • 1平方インチあたり1000万セルのMOSFET向けPowerTrench ® テクノロジーは、フェアチャイルドのクローズドセルプレーナ30VパワーMOSFET製品ポートフォリオの頂点を成しています。 このパワーMOSFETテクノロジーは、低ゲート電荷実現技術におけるターニングポイントになりました。高速スイッチング要件は、むしろPowerTrench™の強みを発揮させるものとなりました。
  • 業界初の2.5VロジックファミリーであるVCX™。フェアチャイルドのCROSSVOLT™ VCX低電圧ロジックは、業界で初めて2.5V動作に最適化した低電圧ロジックファミリーです。 VCXは、超高速動作を実現し、3.3V、2.5V、および1.5V仕様で提供されます。 高性能CMOSプロセスで製造されたVCXは、入力および出力過電圧耐性、低CMOS電力消費、バランスのとれた高駆動力を提供します。

Arithmetic Controller Engine(ACEx™)

1998

Arithmetic Controller Engine(ACEx™)は、低消費電力および高性能に最適化した、柔軟性の高い、同種のタイプで初の8ビットマイクロコントローラーです。 8ピンTSSOPに実装された初の製品であるACExは、低消費電力のバッテリー 駆動アプリケーションに最適です。

RC5051

1998

フェアチャイルドのアナログ製品ラインに導入されたRC5051は、PC用途のスイッチイングDC-DC電源の先駆けとなりました。

フェアチャイルド、LVT市場に参入

1999

フェアチャイルドは、バスホールド/非バスホールドLVT製品の安定供給を求めるお客様の声に応えるため、 LVT市場に参入し、バックプレーン、メモリーアレイ、ネットワーク、通信交換機などのオフ基板駆動アプリケーションの有効市場に飛躍的な展開を図りました。

フェアチャイルド、サムスンのパワーデバイス部門を買収

1999

フェアチャイルドは、サムスンのパワーデバイス部門の買収を成功裡に終え、パワーディスクリートデバイスの全製品ラインナップと業界標準のアナログコンポーネントの広範な製品ラインナップを実現しました。 フェアチャイルドのポートフォリオは多角的市場を対象に、アナログ量産品のトップ100をカバーするとともに、ディスクリートパワー製品において最も包括的なポートフォリオを取り揃えています。 フェアチャイルドのオープンセル・プレーナMOSFETテクノロジーは、電力システム設計において業界最高のパフォーマンスを実現させます。 優れたオン抵抗、最小限に抑えたゲート電荷、卓越したdv/dt特性を特徴とするQFETテクノロジーは、堅牢性の向上に貢献します。

フェアチャイルドのパワースイッチテクノロジー(SPS)は、オフラインパワースイッチング用にパルス幅変調(PWM)ICとSenseFETを1パッケージ化したものです。 パワースイッチソリューションは保護機能を提供することにより、信頼性を高め、部品数削減に伴うコストを最小限に抑えます。

フェアチャイルドのIGBTは、バイポーラとMOSFETの技術を組み合わせたパワートランジスターであり、オン状態損失が低く、駆動が容易なデバイスを実現します。 IGBTは、NOSFETの導電損失が顕著になる高出力アプリケーションに最適です。

パワー製品のBGAパッケージング導入。フェアチャイルドセミコンダクターは株式会社化されました。 ニューヨーク証券取引所に上場し、ティッカーシンボルはFCSです。

フェアチャイルドのオープンセル・プレーナMOSFETテクノロジーは、電力システム設計において業界最高のパフォーマンスの実現を支援します。 優れたオン抵抗、最小限に抑えたゲート電荷、卓越したdv/dt特性を特徴とするQFETテクノロジーは、堅牢性の向上に貢献します。

インターフェースおよびロジックグループを立ち上げ

2000

2000年、フェアチャイルドはインターフェースおよびロジックグループを立ち上げ、インターネットハードウェアとワイヤレス機器の急成長分野に新たな一歩を踏み出しました。 この一歩は、選ばれた市場においてトップの座を維持し続けるために、新製品開発と戦略的買収を通じて内部成長を達成するという事業計画にとって、きわめて重要な意味をもちます。

フェアチャイルド、QTオプトエレクトロニクスの買収を完了

2000

フェアチャイルドは、オプトエレクトロニクス専業としては世界最大の独立系企業であるQTオプトエレクトロニクスの買収を完了し、製品ポートフォリオをすべての多角的市場セグメントに拡大しました。

フェアチャイルド、コタマイクロサーキッツとマイクロリニアのパワーマネージメント事業を買収

2000

フェアチャイルドは、コタマイクロサーキッツとマイクロリニアのパワーマネージメント事業を買収し、世界規模のアナログ事業を強化しました。 この取引は成長を後押し、アナログ事業の年間収益をわずか28か月でゼロから4億ドルまで引き上げました。

フェアチャイルド、同種のタイプで初のMOSFET BGAパッケージを発表

2000

フェアチャイルドは、同種のタイプで初のMOSFET BGAパッケージであるFDZ204Pを発表しました。FDZ204Pは、携帯電話の電力管理用途向けに高電流密度ロードスイッチングに対応しています。 特許取得済みのこの革新的なパッケージングは、30Aを超える定格電流で、2.25mm²(図示)から27.5mm²までの幅広い実装面積を可能にします。

フェアチャイルド、業界初の20ビット、コンフィギャラブルバススイッチを発表

2001

フェアチャイルドは、業界で初めてとなる20ビットのコンフィギャラブルバススイッチを発表しました。 FST16450は選択可能レベルシフト機能付の20ビットのコンフィギャラブルバススイッチです。FSTUD16450は、アンダーシュートプロテクションおよび選択可能レベルシフト機能付の20ビットのコンフィギャラブルバススイッチです。 どちらの20ビットデバイスも4、5、8、10、16、または20ビットのスイッチとして設定可能です。 これらのデバイスにより、設計者は大幅な省スペース化、デザイン柔軟性、および部品数削減を実現できます。

フェアチャイルド、インターシル・コーポレーションのディスクリートパワー事業の買収を完了、 パワーMOSFETメーカーとして世界第2位の座へ

2001

フェアチャイルドは、アジア太平洋地域市場のディスクリート半導体で約31%の増収を達成し、この地域のトップの座に躍り出ました。 フェアチャイルドがナンバー1の地位へと躍進した市場セグメントを以下に示します。 コンピューター(デスクトップ、ノート、サーバー、HDDなど)、通信(携帯電話、ネットワーキングなど)、オートモーティブ、パワーサプライ(AC/DC、DC/DC)、モーターコントロール、コンシューマー向け機器、照明バラスト、CRTモニター、各種新興市場(ゲームシステム、DSC、PDA、MP3)

FDS6670AS

2002

FDS6670ASは、フェアチャイルドの特許取得済みSyncFET™テクノロジーを第3世代PowerTrench®プロセスコアに適用した製品です。

フェアチャイルド、表面実装青色LED™を開発

2002

フェアチャイルドは表面実装青色LED™を開発しました。 CPUコア電圧電源の降圧コンバーター用途における同期整流向けに設計された製品群の中で最も新しいFDS6670ASは、フェアチャイルドの特許取得済みSyncFET™テクノロジーを第3世代PowerTrench ® プロセスコアに適用した製品です。

フェアチャイルド、FSBB20CH60を発表

2003

FSBB20CH60は、業界最小の3相インバーター用スマートパワーモジュールで、1パッケージに16チップを収容しています。

フェアチャイルド、µSerDes™を発表

2005

フェアチャイルドは、サイズ、消費電力、EMIともに史上最低値のSerDesデバイスである、低消費電力24ビット双方向シリアライザー/デシリアライザーµSerDes™を発表しました。 信号線の削減を可能にすることから、携帯端末の新興市場で急速に採用されました。 柔軟性の高いアーキテクチャにより、ソフトウェアを変更せずに、複雑な多種多様のプラットフォームに搭載することができました。 またマーク・トンプソン博士が社長兼CEOに任命されました。

FDMC7570S

2010

FDMC7570S は、業界で最も低いRDS (ON) を実現した、3mm x 3mm MLPパッケージの25V MOSFETです。卓越した効率性と優れた接合部温度特性を提供します。

FDZ192NZとFDZ372NZ

2010

FDZ192NZとFDZ372NZは、業界最小、最薄のウェハレベルチップスケール(WL-CSP)Nチャネルデバイスです。